虚拟虚拟虚图16.Au/CH3NH3PbI3−xClx/FTO存储器件的结构与性能(a)MAPbX3的化学结构。
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尽管微米尺寸的多晶hBN已经实现并被用于基础研究，电厂都但晶片级单晶hBN(SC-hBN)薄膜还不能用于实际应用。这一技术首先需要在晶圆上快速生长较厚的二维材料，虚拟虚拟虚之后收集这些材料中单堆叠多层，最终通过多次分离（splitting）的过程将其制备成单层。(Science2017,355,267-271.)图17.纳米线合成过程形貌3.二维材料二维材料，电厂都是指电子仅可在两个维度的非纳米尺度（1-100nm）上自由运动（平面运动）的材料，电厂都如纳米薄膜、超晶格、量子阱。
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